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¡Últimas unidades!
Especificaciones Técnicas
SDD, capacidad:
1
Factor de forma de disco SSD:
M.2
Peso:
9
Ancho:
80,2
Profundidad:
2,38
Altura:
22,1
Intervalo de temperatura operativa:
0 - 70
Interfaz:
PCI Express 4.0
Componente para:
PC
Voltaje de operación:
3,3
Golpes en funcionamiento:
1500
Tipo de memoria:
V-NAND TLC
NVMe:
Si
Velocidad de lectura:
7150
Velocidad de escritura:
6300
Tiempo medio entre fallos:
1500000
Algoritmos de seguridad soportados:
256-bit AES
Encriptación de hardware:
Si
Lectura aleatoria (4KB):
850000
Función DevSleep:
Si
Escritura aleatoria (4KB):
1350000
Soporte S.M.A.R.T.:
Si
Soporte TRIM:
Si
Versión NVMe:
2.0
Consumo eléctrico promedio (lectura):
4,3
Consumo eléctrico promedio (escritura):
4,2
Tamaño de la unidad SSD M.2:
2280 (22 x 80 mm)
Características Destacadas
Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s
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SDD, capacidad: 1
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Factor de forma de disco SSD: M.2
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Peso: 9
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Ancho: 80,2
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Profundidad: 2,38
-
Altura: 22,1
-
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70
-
Interfaz: PCI Express 4.0
-
Componente para: PC
-
Voltaje de operación: 3,3
-
Golpes en funcionamiento: 1500
-
Tipo de memoria: V-NAND TLC
-
NVMe: Si
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Velocidad de lectura: 7150
-
Velocidad de escritura: 6300
-
Tiempo medio entre fallos: 1500000
-
Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
-
Encriptación de hardware: Si
-
Lectura aleatoria (4KB): 850000
-
Función DevSleep: Si
-
Escritura aleatoria (4KB): 1350000
-
Soporte S.M.A.R.T.: Si
-
Soporte TRIM: Si
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Versión NVMe: 2.0
-
Consumo eléctrico promedio (lectura): 4,3
-
Consumo eléctrico promedio (escritura): 4,2
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Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
